日本与中国台湾合作开发出新一代晶体管结构CFET
据媒体报道，最近日本产业技术综合研究所与中国台湾半导体研究中心等开发出新一代半导体必需的新结构的场效应晶体管，即将硅和锗等不同沟道材料从上下方堆叠、使“n型”和“p型”场效应晶体管…
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据媒体报道，最近日本产业技术综合研究所与中国台湾半导体研究中心等开发出新一代半导体必需的新结构的场效应晶体管，即将硅和锗等不同沟道材料从上下方堆叠、使“n型”和“p型”场效应晶体管…
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